מספר מוצר של יצרן:
MSC360SMA120B
Product Overview
יצרן:
Microchip Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
MSC360SMA120B-DG
תיאור:
MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-24
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 11A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
138 יחידות חדשות מק originales במלאי
12970933
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
MSC360SMA120B מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
450mOhm @ 5A, 20V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.14V @ 500µA (Typ)
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
21 nC @ 20 V
VGS (מקס')
+23V, -10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
255 pF @ 1000 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
78W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
MSC360
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
150-MSC360SMA120B
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PJQ5462A-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJE8428_R1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD60R540E_L2_00001
600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
