מספר מוצר של יצרן:
MSC180SMA120B
Product Overview
יצרן:
Microchip Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
MSC180SMA120B-DG
תיאור:
MOSFET 1200V 25A TO-247
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 21A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
2 יחידות חדשות מק originales במלאי
13254007
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
MSC180SMA120B מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 20V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
225mOhm @ 8A, 20V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 500µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
36 nC @ 20 V
VGS (מקס')
+23V, -10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
530 pF @ 1000 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
147W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
MSC180
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
691-MSC180SMA120B
MSC140SMA120B
MSC140SMA120B-ND
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
G3R160MT12J
יצרן
GeneSiC Semiconductor
כמות זמינה
2358
DiGi מספר חלק
G3R160MT12J-DG
מחיר ליחידה
6.82
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
APT39F60J
MOSFET N-CH 600V 42A ISOTOP
APT6015LVRG
MOSFET N-CH 600V 38A TO264
APT31N80JC3
MOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP
