MSC040SMA120B4
מספר מוצר של יצרן:

MSC040SMA120B4

Product Overview

יצרן:

Microchip Technology

DiGi Electronics מספר חלק:

MSC040SMA120B4-DG

תיאור:

SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 66A (Tc) 323W (Tc) Through Hole TO-247-4

מלאי:

97 יחידות חדשות מק originales במלאי
12939520
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

MSC040SMA120B4 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
66A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.6V @ 2mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
137 nC @ 20 V
VGS (מקס')
+23V, -10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1990 pF @ 1000 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
323W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-4
חבילה / מארז
TO-247-4
מספר מוצר בסיסי
MSC040

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
150-MSC040SMA120B4
חבילה סטנדרטית
30

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
microchip-technology

MSC180SMA120S

MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26

toshiba-semiconductor-and-storage

XPN9R614MC,L1XHQ

MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TK33S10N1Z,LXHQ

MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

infineon-technologies

IRF7455TRPBF-1

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO