מספר מוצר של יצרן:
APT7M120S
Product Overview
יצרן:
Microchip Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
APT7M120S-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 8A (Tc) 335W (Tc) Surface Mount D3Pak
מלאי:
13248125
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
APT7M120S מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Bulk
סדרה
POWER MOS 8™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2565 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
335W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D3Pak
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
APT7M120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTT6N120
יצרן
IXYS
כמות זמינה
267
DiGi מספר חלק
IXTT6N120-DG
מחיר ליחידה
7.33
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
APT5010JVRU3
MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
APT58M80J
MOSFET N-CH 800V 60A SOT227
APT50M65B2FLLG
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
