APT48M80B2
מספר מוצר של יצרן:

APT48M80B2

Product Overview

יצרן:

Microchip Technology

DiGi Electronics מספר חלק:

APT48M80B2-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 800V 49A T-MAX
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 49A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת
13261777
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

APT48M80B2 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Tube
סדרה
POWER MOS 8™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
49A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
190mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 2.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
305 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9330 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1135W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
T-MAX™ [B2]
חבילה / מארז
TO-247-3 Variant
מספר מוצר בסיסי
APT48M80

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
APT48M80(B2,L) High-Voltage Power Discretes and Modules

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
microsemi

APT47N65SCS3G

MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

microchip-technology

APTM100UM60FAG

MOSFET N-CH 1000V 129A SP6

microsemi

APT5014SLLG/TR

MOSFET N-CH 500V 35A TO247

microchip-technology

APT50M75LLLG

MOSFET N-CH 500V 57A TO264