APT34M120J
מספר מוצר של יצרן:

APT34M120J

Product Overview

יצרן:

Microchip Technology

DiGi Electronics מספר חלק:

APT34M120J-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 1200V 35A SOT227
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 35A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת
13258167
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

APT34M120J מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
300mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 2.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
560 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
18200 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
960W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-227
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
מספר מוצר בסיסי
APT34M120

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
APT34M120J High-Voltage Power Discretes and Modules

מידע נוסף

שמות אחרים
APT34M120JMI-ND
APT34M120JMI
חבילה סטנדרטית
10

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
IXFN30N120P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFN30N120P-DG
מחיר ליחידה
46.25
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
microsemi

APT12F60K

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

microsemi

APTM20SKM05G

MOSFET N-CH 200V 317A SP6

microchip-technology

APT42F50B

MOSFET N-CH 500V 42A TO247

microchip-technology

APT9F100B

MOSFET N-CH 1000V 9A TO247