APT31M100B2
מספר מוצר של יצרן:

APT31M100B2

Product Overview

יצרן:

Microchip Technology

DiGi Electronics מספר חלק:

APT31M100B2-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת
13250007
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

APT31M100B2 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Tube
סדרה
POWER MOS 8™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
32A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
380mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 2.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
260 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
8500 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1040W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
T-MAX™ [B2]
חבילה / מארז
TO-247-3 Variant
מספר מוצר בסיסי
APT31M100

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
APT31M100(B2,L) High-Voltage Power Discretes and Modules

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
STW22N95K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
590
DiGi מספר חלק
STW22N95K5-DG
מחיר ליחידה
3.77
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
microsemi

APT17N80SC3G

MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

microsemi

2N6901

MOSFET N-CH 100V 1.69A TO39

microchip-technology

APT26F120B2

MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

microchip-technology

APT43M60B2

MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX