מספר מוצר של יצרן:
APT28M120B2
Product Overview
יצרן:
Microchip Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
APT28M120B2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 29A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
מלאי:
24 יחידות חדשות מק originales במלאי
13253449
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
APT28M120B2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Tube
סדרה
POWER MOS 8™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
29A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
560mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 2.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
300 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9670 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1135W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
T-MAX™ [B2]
חבילה / מארז
TO-247-3 Variant
מספר מוצר בסיסי
APT28M120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
APT28M120B2MI-ND
APT28M120B2MI
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
APT1003RKLLG
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220
APT10043JVR
MOSFET N-CH 1000V 22A ISOTOP
2N6760
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA
