מספר מוצר של יצרן:
APT18M100S
Product Overview
יצרן:
Microchip Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
APT18M100S-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 18A D3PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 18A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount D3PAK
מלאי:
86 יחידות חדשות מק originales במלאי
12973427
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
APT18M100S מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Tube
סדרה
POWER MOS 8™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
700mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
150 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4845 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
625W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D3Pak
חבילה / מארז
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
מספר מוצר בסיסי
APT18M100
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
150-APT18M100S
חבילה סטנדרטית
60
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ECH8411-TL-E-SA
MOSFET N-CH
PJQ4411P_R2_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD4NA70_L2_00001
700V N-CHANNEL MOSFET
