מספר מוצר של יצרן:
APT1001R1BN
Product Overview
יצרן:
Microchip Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
APT1001R1BN-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 10.5A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD
מלאי:
13253099
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
APT1001R1BN מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
-
סדרה
POWER MOS IV®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.1Ohm @ 5.25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
130 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2950 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
310W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AD
חבילה / מארז
TO-247-3
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
JANSR2N7269U
MOSFET N-CH 200V 26A U1
APT14M120B
MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
APT5024BFLLG
MOSFET N-CH 500V 22A TO247