מספר מוצר של יצרן:
VMO580-02F
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
VMO580-02F-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 580A (Tc) Chassis Mount Y3-Li
מלאי:
12819382
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
VMO580-02F מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
580A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.8mOhm @ 430A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 50mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2750 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
Y3-Li
חבילה / מארז
Y3-Li
מספר מוצר בסיסי
VMO580
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
VMO580-02F-NDR
Q1221985A
VMO58002F
חבילה סטנדרטית
2
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFP130N15X3
MOSFET N-CH 150V 130A TO220AB
IXTT12N150HV
MOSFET N-CH 1500V 12A TO268
IXTY4N65X2
MOSFET N-CH 650V 4A TO252