מספר מוצר של יצרן:
VMO550-01F
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
VMO550-01F-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 590A (Tc) 2200W (Tc) Chassis Mount Y3-DCB
מלאי:
12821585
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
VMO550-01F מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
590A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.1mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6V @ 110mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2000 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
50000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2200W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
Y3-DCB
חבילה / מארז
Y3-DCB
מספר מוצר בסיסי
VMO550
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFN100N10S1
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
IXFH160N15T
MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
IXFH18N60X
MOSFET N-CH 600V 18A TO247
