מספר מוצר של יצרן:
MMIX1F180N25T
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
MMIX1F180N25T-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 132A (Tc) 570W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
מלאי:
20 יחידות חדשות מק originales במלאי
12822065
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
MMIX1F180N25T מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
132A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
364 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
23800 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
570W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
24-SMPD
חבילה / מארז
24-PowerSMD, 21 Leads
מספר מוצר בסיסי
MMIX1F180
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
-MMIX1F180N25T
חבילה סטנדרטית
20
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTQ180N055T
MOSFET N-CH 55V 180A TO3P
IXTQ96N20P
MOSFET N-CH 200V 96A TO3P
IXTQ88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
