מספר מוצר של יצרן:
MMIX1F160N30T
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
MMIX1F160N30T-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 300V 102A 24SMPD
תיאור מפורט:
N-Channel 300 V 102A (Tc) 570W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
מלאי:
12820009
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
MMIX1F160N30T מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
300 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
102A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
20mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
335 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2800 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
570W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
24-SMPD
חבילה / מארז
24-PowerSMD, 21 Leads
מספר מוצר בסיסי
MMIX1F160
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
20
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTP1R4N60P
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
IXTQ102N20T
MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
IXTH50N20
MOSFET N-CH 200V 50A TO247
