מספר מוצר של יצרן:
MCB60P1200TLB-TRR
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
MCB60P1200TLB-TRR-DG
תיאור:
SIC 2N-CH 1200V 9SMPD
תיאור מפורט:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) Surface Mount 9-SMPD-B
מלאי:
13271011
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
MCB60P1200TLB-TRR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
Silicon Carbide (SiC)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200V (1.2kV)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
-
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
-
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
-
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
9-PowerSMD
חבילת מכשירים לספקים
9-SMPD-B
מספר מוצר בסיסי
MCB60P1200
מידע נוסף
שמות אחרים
238-MCB60P1200TLB-TRRTR
חבילה סטנדרטית
200
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFN130N90SK
SIC 2N-CH 900V SOT227B
MCB30P1200LB-TUB
SIC 2N-CH 1200V 9SMPD
MTC120W55GC-SMD
MOSFET 6N-CH 55V 150A