מספר מוצר של יצרן:
IXTY1R6N50D2-TRL
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTY1R6N50D2-TRL-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 1.6A (Tj) 100W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
13140393
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
jPsm
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTY1R6N50D2-TRL מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
Depletion
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.6A (Tj)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.3Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23.7 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
645 pF @ 25 V
תכונת FET
Depletion Mode
פיזור כוח (מרבי)
100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IXTY1
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
238-IXTY1R6N50D2-TRLCT
238-IXTY1R6N50D2-TRLDKR
238-IXTY1R6N50D2-TRLTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTY01N100D-TRL
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
IXTA52P10P-TRL
MOSFET P-CH 100V 52A TO263
IXTA1N200P3HV-TRL
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
