מספר מוצר של יצרן:
IXTY1N80P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTY1N80P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 1A TO252
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 1A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12819623
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTY1N80P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
14Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
250 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
42W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IXTY1
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
70
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD1NK80ZT4
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
232
DiGi מספר חלק
STD1NK80ZT4-DG
מחיר ליחידה
0.39
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFR80N10Q
MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247
IXFB38N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
IXTP08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB