מספר מוצר של יצרן:
IXTY08N120P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTY08N120P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1200V 8A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 8A (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12819056
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTY08N120P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXTY08
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
70
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFR32N100P
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
IXFM1633
POWER MOSFET TO-3
IXTQ150N15P
MOSFET N-CH 150V 150A TO3P
