IXTV22N50P
מספר מוצר של יצרן:

IXTV22N50P

Product Overview

יצרן:

IXYS

DiGi Electronics מספר חלק:

IXTV22N50P-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 350W (Tc) Through Hole PLUS220

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת
12820123
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IXTV22N50P מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
PolarHV™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
22A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
270mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
50 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2630 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
350W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PLUS220
חבילה / מארז
TO-220-3, Short Tab
מספר מוצר בסיסי
IXTV22

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
IXTV22N50P
גיליון נתונים של HTML
IXTV22N50P-DG
גליונות נתונים
IXT(H,Q,V)22N50P(S) Building, Home Automation Appl Guide

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
STP19NM50N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
976
DiGi מספר חלק
STP19NM50N-DG
מחיר ליחידה
1.75
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
littelfuse

IXFC74N20P

MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220

littelfuse

IXTN79N20

MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B

littelfuse

IXTA20N65X

MOSFET N-CH 650V 20A TO263

littelfuse

IXTV26N60P

MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220