מספר מוצר של יצרן:
IXTU1R4N60P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTU1R4N60P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251AA
מלאי:
12818879
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTU1R4N60P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
PolarHV™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 25µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5.2 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
140 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251AA
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IXTU1
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD1NK60-1
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
5751
DiGi מספר חלק
STD1NK60-1-DG
מחיר ליחידה
0.38
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STD2HNK60Z-1
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
3054
DiGi מספר חלק
STD2HNK60Z-1-DG
מחיר ליחידה
0.51
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTP02N50D
MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB
IXFR24N90P
MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247
IXTY2R4N50P
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252
