מספר מוצר של יצרן:
IXTU06N120P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTU06N120P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO251
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 600mA (Tc) Through Hole TO-251AA
מלאי:
12820386
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTU06N120P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
600mA (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251AA
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IXTU06
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFN73N30Q
MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
IXFH26N100X
MOSFET N-CH 1000V 26A TO247
IXFL210N30P3
MOSFET N-CH 300V 108A ISOPLUS264