מספר מוצר של יצרן:
IXTT10N100D2
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTT10N100D2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 10A (Tc) 695W (Tc) Surface Mount TO-268AA
מלאי:
12820531
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTT10N100D2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Depletion
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.5Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
200 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5320 pF @ 25 V
תכונת FET
Depletion Mode
פיזור כוח (מרבי)
695W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-268AA
חבילה / מארז
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
מספר מוצר בסיסי
IXTT10
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTT50P10
MOSFET P-CH 100V 50A TO268
IXKP20N60C5
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
IXKT70N60C5-TRL
MOSFET P-CH 600V 68A TO-268
