מספר מוצר של יצרן:
IXTQ60N10T
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTQ60N10T-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 60A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-3P
מלאי:
13270673
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTQ60N10T מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Trench
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
60A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
18mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
49 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2650 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
176W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
IXTQ60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
238-IXTQ60N10T
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFA76N15T2-TRL
MOSFET N-CH 150V 76A TO263
IXFA5N100P-TRL
MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
IXFA22N65X2-TRL
MOSFET N-CH 650V 22A TO263