IXTQ170N10P
מספר מוצר של יצרן:

IXTQ170N10P

Product Overview

יצרן:

IXYS

DiGi Electronics מספר חלק:

IXTQ170N10P-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 170A (Tc) 715W (Tc) Through Hole TO-3P

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת
12818895
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IXTQ170N10P מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
170A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
198 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
715W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
IXTQ170

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
IXT(K,Q,T)170N10P Building, Home Automation Appl Guide

מידע נוסף

שמות אחרים
-IXTQ170N10P
חבילה סטנדרטית
30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
IRFP4110PBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
3922
DiGi מספר חלק
IRFP4110PBF-DG
מחיר ליחידה
2.14
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
littelfuse

IXTA76P10T

MOSFET P-CH 100V 76A TO263

littelfuse

IXFH14N80P

MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD

littelfuse

IXFH24N50Q

MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD

littelfuse

IXFP110N15T2

MOSFET N-CH 150V 110A TO220AB