מספר מוצר של יצרן:
IXTP26P10T
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTP26P10T-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 100V 26A TO220AB
תיאור מפורט:
P-Channel 100 V 26A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12819782
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
pIeS
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTP26P10T מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
TrenchP™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
26A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
90mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
52 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±15V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3820 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXTP26
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTU08N100P
MOSFET N-CH 1000V 8A TO251
IXFR21N100Q
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
IXFH80N085
MOSFET N-CH 85V 80A TO247AD
