מספר מוצר של יצרן:
IXTP20N65X
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTP20N65X-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12821814
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTP20N65X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Ultra X
סטטוס המוצר
Last Time Buy
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
210mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
35 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1390 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
320W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXTP20
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPP60R199CPXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
512
DiGi מספר חלק
IPP60R199CPXKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.75
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTH20N65X
יצרן
IXYS
כמות זמינה
595
DiGi מספר חלק
IXTH20N65X-DG
מחיר ליחידה
5.92
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
SPP21N50C3XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2469
DiGi מספר חלק
SPP21N50C3XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.91
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP22NM60N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
945
DiGi מספר חלק
STP22NM60N-DG
מחיר ליחידה
1.64
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPP60R180C7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
572
DiGi מספר חלק
IPP60R180C7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.23
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFK80N50P
MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA
IXFX210N17T
MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247-3
IXTY26P10T
MOSFET P-CH 100V 26A TO252
