מספר מוצר של יצרן:
IXTP1R6N50P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTP1R6N50P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 1.6A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12820251
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTP1R6N50P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
Polar
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 25µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
140 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
43W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXTP1
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTP2N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
67
DiGi מספר חלק
IXTP2N65X2-DG
מחיר ליחידה
1.11
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTT10N100D
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
IXTA32P20T
MOSFET P-CH 200V 32A TO263
IXTA140N12T2
MOSFET N-CH 120V 140A TO263
