מספר מוצר של יצרן:
IXTP1R4N100P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTP1R4N100P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 1.4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12820066
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTP1R4N100P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
450 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
63W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXTP1
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP2NK100Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
738
DiGi מספר חלק
STP2NK100Z-DG
מחיר ליחידה
1.37
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFBG20PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1421
DiGi מספר חלק
IRFBG20PBF-DG
מחיר ליחידה
0.68
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFH21N50
MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
IXFH16N50P3
MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
IXTA56N15T
MOSFET N-CH 150V 56A TO263