מספר מוצר של יצרן:
IXTP130N10T
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTP130N10T-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 130A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12820295
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTP130N10T מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Trench
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
130A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
104 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5080 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
360W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXTP130
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMT10H010LCT
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
43
DiGi מספר חלק
DMT10H010LCT-DG
מחיר ליחידה
0.64
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTH130N10T
יצרן
IXYS
כמות זמינה
30
DiGi מספר חלק
IXTH130N10T-DG
מחיר ליחידה
3.05
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
CSD19533KCS
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
2169
DiGi מספר חלק
CSD19533KCS-DG
מחיר ליחידה
0.67
סוג משאב
Similar
מספר חלק
DMTH10H010LCT
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
41
DiGi מספר חלק
DMTH10H010LCT-DG
מחיר ליחידה
0.62
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP120NF10
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
18341
DiGi מספר חלק
STP120NF10-DG
מחיר ליחידה
2.05
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTR32P60P
MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
IXTA3N120-TRL
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
IXFN24N100
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
