מספר מוצר של יצרן:
IXTP08N100P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTP08N100P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 800mA (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
285 יחידות חדשות מק originales במלאי
12819505
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTP08N100P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
800mA (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11.3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
240 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
42W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXTP08
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFT20N80Q
MOSFET N-CH 800V 20A TO268
IXFA7N80P
MOSFET N-CH 800V 7A TO263
IXTA05N100HV
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
