מספר מוצר של יצרן:
IXTP06N120P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTP06N120P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 600mA (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
69 יחידות חדשות מק originales במלאי
12821620
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTP06N120P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
600mA (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
32Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13.3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
270 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
42W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXTP06
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-IXTP06N120P
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTH32N65X
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
IXTP10N60PM
MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
IXFH120N30X3
MOSFET N-CH 300V 120A TO247
