מספר מוצר של יצרן:
IXTM67N10
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTM67N10-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 67A TO204AE
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
מלאי:
12822035
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTM67N10 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
GigaMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
67A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
25mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
260 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4500 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-204AE
חבילה / מארז
TO-204AE
מספר מוצר בסיסי
IXTM67
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
20
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
PSMN013-100PS,127
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
3262
DiGi מספר חלק
PSMN013-100PS,127-DG
מחיר ליחידה
0.99
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFK80N20
MOSFET N-CH 200V 80A TO264AA
IXFN420N10T
MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
IXTX200N10L2
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
