מספר מוצר של יצרן:
IXTM50N20
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTM50N20-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 50A TO204AE
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
מלאי:
12819638
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTM50N20 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
GigaMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
45mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
220 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-204AE
חבילה / מארז
TO-204AE
מספר מוצר בסיסי
IXTM50
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
20
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFP260NPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
12055
DiGi מספר חלק
IRFP260NPBF-DG
מחיר ליחידה
1.72
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFK120N30P3
MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
IXFX98N50P3
MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247-3
IXFA56N30X3
MOSFET N-CH 300V 56A TO263AA
