IXTH30N50L

מספר מוצר של יצרן:

IXTH30N50L

Product Overview

יצרן:

IXYS

DiGi Electronics מספר חלק:

IXTH30N50L-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 500V 30A TO247

תיאור מפורט:

N-Channel 500 V 30A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12915333

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IXTH30N50L מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Littelfuse

אריזות

-

סדרה

Linear

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

500 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

30A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

200mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

240 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

10200 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

400W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-247 (IXTH)

חבילה / מארז

TO-247-3

מספר מוצר בסיסי

IXTH30

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

IXT(H,Q,T)30N50L

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

SI3853DV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 1.6A 6TSOP

vishay-siliconix

IRFIBC20G

MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3

vishay-siliconix

SI4413ADY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO

vishay-siliconix

SI7459DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8