מספר מוצר של יצרן:
IXTH1N100
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTH1N100-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
מלאי:
12821140
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTH1N100 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 25µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
480 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
60W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247 (IXTH)
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXTH1
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFN80N50P
MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B
IXFE39N90
MOSFET N-CH 900V 34A SOT227B
IXTQ102N25T
MOSFET N-CH 250V 102A TO3P
