מספר מוצר של יצרן:
IXTH102N20T
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTH102N20T-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 102A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 102A (Tc) 750W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
מלאי:
12820216
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTH102N20T מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
Trench
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
102A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
23mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
114 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6800 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
750W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247 (IXTH)
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXTH102
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFP90N20DPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
574
DiGi מספר חלק
IRFP90N20DPBF-DG
מחיר ליחידה
3.02
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTN30N100L
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B
IXFN36N60
MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B
IXTH120N15T
MOSFET N-CH 150V 120A TO247