מספר מוצר של יצרן:
IXTF6N200P3
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTF6N200P3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC
תיאור מפורט:
N-Channel 2000 V 4A (Tc) 215W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
מלאי:
12821834
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTF6N200P3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Polar P3™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
2000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
143 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3700 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
215W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ISOPLUS i4-PAC™
חבילה / מארז
ISOPLUSi5-PAK™
מספר מוצר בסיסי
IXTF6
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFP26N50P3
MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
IXFQ24N50Q
MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
IXFH130N15X3
MOSFET N-CH 150V 130A TO247
