מספר מוצר של יצרן:
IXTF200N10T
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTF200N10T-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 90A I4PAC
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 156W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
מלאי:
12820955
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTF200N10T מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Trench
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
90A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
152 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
156W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ISOPLUS i4-PAC™
חבילה / מארז
i4-Pac™-5
מספר מוצר בסיסי
IXTF200
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTH220N075T
MOSFET N-CH 75V 220A TO247
IXTH10N100D2
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
IXTT75N20L2
MOSFET N-CH 200V 75A DPAK
