מספר מוצר של יצרן:
IXTA3N100D2HV
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTA3N100D2HV-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 3A (Tj) 125W (Tc) Surface Mount TO-263HV
מלאי:
12821641
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTA3N100D2HV מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Depletion
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Tj)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
37.5 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1020 pF @ 25 V
תכונת FET
Depletion Mode
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263HV
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IXTA3
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFH50N60X
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
IXTP98N075T
MOSFET N-CH 75V 98A TO220AB
IXTH64N65X
MOSFET N-CH 650V 64A TO247
