מספר מוצר של יצרן:
IXTA3N100D2-TRL
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTA3N100D2-TRL-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 3A (Tj) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
13271097
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTA3N100D2-TRL מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
Depletion
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Tj)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
37.5 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1020 pF @ 25 V
תכונת FET
Depletion Mode
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IXTA3
מידע נוסף
שמות אחרים
238-IXTA3N100D2-TRLTR
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTA42N15T-TRL
MOSFET N-CH 150V 42A TO263
IXTA2N100P-TRL
MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
IXTQ86N25T
MOSFET N-CH 250V 86A TO3P
