IXTA2R4N120P

מספר מוצר של יצרן:

IXTA2R4N120P

Product Overview

יצרן:

IXYS

DiGi Electronics מספר חלק:

IXTA2R4N120P-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263

תיאור מפורט:

N-Channel 1200 V 2.4A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AA

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12819770

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IXTA2R4N120P מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Littelfuse

אריזות

Tube

סדרה

Polar

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

1200 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

2.4A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

37 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1207 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

125W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-263AA

חבילה / מארז

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

מספר מוצר בסיסי

IXTA2

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IXTA2R4N120P-DG

גליונות נתונים

IXT(A,H,P)2R4N120P Building, Home Automation Appl Guide

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

littelfuse

IXFX180N15P

MOSFET N-CH 150V 180A PLUS247-3

littelfuse

IXTQ200N075T

MOSFET N-CH 75V 200A TO3P

littelfuse

IXTX5N250

MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247-3

littelfuse

IXTY08N50D2

MOSFET N-CH 500V 800MA TO252