מספר מוצר של יצרן:
IXTA110N12T2
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTA110N12T2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 120V 110A TO263
תיאור מפורט:
N-Channel 120 V 110A (Tc) 517W (Tc) Surface Mount TO-263AA
מלאי:
12820924
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTA110N12T2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
TrenchT2™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
120 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
110A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
14mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
120 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6570 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
517W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263AA
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IXTA110
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPB144N12N3GATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2576
DiGi מספר חלק
IPB144N12N3GATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.79
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTA80N12T2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTA80N12T2-DG
מחיר ליחידה
2.14
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPB038N12N3GATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1575
DiGi מספר חלק
IPB038N12N3GATMA1-DG
מחיר ליחידה
3.04
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTA200N075T
MOSFET N-CH 75V 200A TO263
IXFZ520N075T2
MOSFET N-CH 75V 465A DE475
IXFN64N50P
MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
