מספר מוצר של יצרן:
IXT-1-1N100S1
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXT-1-1N100S1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc)
מלאי:
12821076
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXT-1-1N100S1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.5A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
-
חבילת מכשירים לספקים
-
חבילה / מארז
-
מספר מוצר בסיסי
IXT-1
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
94
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXKP13N60C5M
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220ABFP
IXFK52N100X
MOSFET N-CH 1000V 52A TO264
IXFH75N10Q
MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
