מספר מוצר של יצרן:
IXKP13N60C5
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXKP13N60C5-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 13A (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12911653
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
pZPh
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXKP13N60C5 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
300mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 440µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1100 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXKP13
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP18N60DM2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
920
DiGi מספר חלק
STP18N60DM2-DG
מחיר ליחידה
1.04
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TK12E60W,S1VX
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
50
DiGi מספר חלק
TK12E60W,S1VX-DG
מחיר ליחידה
1.42
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STF13N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1413
DiGi מספר חלק
STF13N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.67
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP13NM60ND
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
87
DiGi מספר חלק
STP13NM60ND-DG
מחיר ליחידה
1.64
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP22NM60N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
945
DiGi מספר חלק
STP22NM60N-DG
מחיר ליחידה
1.64
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFIBF20GPBF
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
IXTT30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A TO268
IRF840AS
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
