מספר מוצר של יצרן:
IXFY4N85X
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFY4N85X-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252
תיאור מפורט:
N-Channel 850 V 3.5A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
58 יחידות חדשות מק originales במלאי
12818833
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFY4N85X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Ultra X
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
850 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
247 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IXFY4
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
-1402-IXFY4N85X
238-IXFY4N85X
IXFY4N85X-DG
חבילה סטנדרטית
70
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFK44N50Q
MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA
IXTA1N170DHV
MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
IXFT80N30P3
MOSFET N-CH 300V 80A TO-268