מספר מוצר של יצרן:
IXFX52N100X
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFX52N100X-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 52A PLUS247
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 52A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
מלאי:
12819604
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFX52N100X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Ultra X
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
52A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
125mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
245 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6725 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PLUS247™-3
חבילה / מארז
TO-247-3 Variant
מספר מוצר בסיסי
IXFX52
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SCT3080KLGC11
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
325
DiGi מספר חלק
SCT3080KLGC11-DG
מחיר ליחידה
12.39
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTH26N60P
MOSFET N-CH 600V 26A TO247
94-3660PBF
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO
IXFQ94N30P3
MOSFET N-CH 300V 94A TO3P
