מספר מוצר של יצרן:
IXFX32N100P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFX32N100P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
מלאי:
12821380
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFX32N100P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
32A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
320mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
225 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
14200 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
960W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PLUS247™-3
חבילה / מארז
TO-247-3 Variant
מספר מוצר בסיסי
IXFX32
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STW22N95K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
590
DiGi מספר חלק
STW22N95K5-DG
מחיר ליחידה
3.77
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFV26N60P
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
IXTV36N50P
MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220
IXTA32P05T
MOSFET P-CH 50V 32A TO263
