מספר מוצר של יצרן:
IXFX220N17T2
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFX220N17T2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 170 V 220A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
מלאי:
12820050
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFX220N17T2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, TrenchT2™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
170 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
220A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.3mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
500 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
31000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PLUS247™-3
חבילה / מארז
TO-247-3 Variant
מספר מוצר בסיסי
IXFX220
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF200P222
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
971
DiGi מספר חלק
IRF200P222-DG
מחיר ליחידה
4.96
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFT26N60Q
MOSFET N-CH 600V 26A TO268
IXTH60N25
MOSFET N-CH 250V 60A TO247
IXFH40N30Q
MOSFET N-CH 300V 40A TO247AD
