מספר מוצר של יצרן:
IXFX20N120
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFX20N120-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 780W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
מלאי:
12821477
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
2V12
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFX20N120 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
750mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
160 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
780W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PLUS247™-3
חבילה / מארז
TO-247-3 Variant
מספר מוצר בסיסי
IXFX20
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTP64N055T
MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
IXFK170N10
MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA
IXTY1R6N50P
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
