מספר מוצר של יצרן:
IXFX200N10P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFX200N10P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 830W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
מלאי:
12821918
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFX200N10P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
200A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
235 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
830W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PLUS247™-3
חבילה / מארז
TO-247-3 Variant
מספר מוצר בסיסי
IXFX200
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFP4310ZPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1902
DiGi מספר חלק
IRFP4310ZPBF-DG
מחיר ליחידה
2.10
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFB82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
IXFK30N50Q
MOSFET N-CH 500V 30A TO264AA
IXTH140P05T
MOSFET P-CH 50V 140A TO247